九月第3周电子元器件市场资讯：

【存储芯片】

1.HBM 排挤效应延续，DRAM/NAND 吃紧，长鑫 HBM 良率仅 25%。

九月第二周电子元器件市场资讯：

【存储芯片】

1.16 层 HBM4 现货报价高达 3,500 美元 / 颗。
2.36GB ...

【存储市场（DRAM/NAND/HBM）】 1.    通用 DRAM 持续紧缺，原厂产能倾斜 HBM 三星、SK 海力士、美光持续把晶圆产能优先分配 AI 大客...

【存储芯片】1.DDR4 8Gb 现货报 22 美元、DDR5 16Gb 主流报 40 美元、LPDDR5X 128Gb 报 235 美元；服务器 DDR5 RDIMM：32GB 报 900 美...

【MLCC电容】 1.国巨表示景气有望延续至 2028 年，下游客户大量锁长期产能规避断供风险，本季标准品出货占比由八成升至九成以上，交期拉长至 12‑16 个月。 ...

【存储芯片】
1.南亚科大手笔扩产DRAM
上调2026年资本支出至697亿新台币，2...