十月第4周电子元器件市场资讯：
【存储芯片】
1、长江存储跨界进入移动内存：自研 9600MT/s LPDDR5X（VCT+4F² 架构）计划在武汉 Fab3 量产，直接对标三星、美光，国产存储形成 “NAND+DRAM” 双线推进。
2、长鑫押注 4F² 架构，计划年底推出 DDR5 RDIMM；美光 CTO 公开质疑该路线 “没有实际微缩收益”，双方就下一代 DRAM 技术路线产生分歧。
3、三星 2027 年内存产能已有 80% 被长协锁定（HBM 100%）；联想、惠普、戴尔签署 LTA 锁定明年供货，戴尔 AI 服务器积压订单达 950 亿美元。
4、SK 海力士暂停 Solidigm 美国 IPO，美国本土 NAND 扩产计划搁置，2027 年 NAND 过剩预期暂时缓解；三星 HBM 营收份额已追至 33%。
5、Q4 DRAM 合约价预计环比涨约 20%、NAND 涨 15%-20%，涨幅较前三季度明显收敛；野村判断短缺至少延续至 2028 年。
【被动器件】
1、三星电机 MLCC 全品类交期由 30 周拉长至 52 周，Q4 消费级 X5R 再涨 25%-30%、AI 高端 X6S 涨 10%-20%，下单需等一年。
2、国巨计划在 10-11 月启动新一轮调价：高容料最高涨 50%，中低容涨 10%-30%，定价方式转向按客户逐家报价。
3、风华高科 Q3 营收 22.99 亿元同比 + 71.97%、归母净利 3.51 亿元同比 + 470%；前三季净利 6.42 亿元同比 + 180.9%，量价齐升兑现。
4、三环集团 Q4 对代理商普涨 10%-30%；Kemet 10 月 20 日全线涨价，国产厂商承接日韩转单的窗口持续打开。
【其他资讯】
1、英伟达要求 NVHBM 基片统一采用台积电 3nm，三星首次把 HBM 基片交对手代工；NVHBM 带宽最高 + 30%、功耗 - 15%。
2、硅片进入全尺寸涨价周期，2027 年供需缺口预计扩至 15%；氧化钇境内外价差达 179 倍，稀土出口管制暂停期顺延至 2027 年 1 月 10 日。