存储芯片最新消息报道

一、DRAM价格持续走强，连续四月上涨
DRAM价格已连续四个月保持上涨态势，成为存储芯片市场的核心上涨品种。2025年7月，代表性产品DDR4 8Gb批发价约为4.28美元/个，4Gb产品价格约为3.26美元/个，较6月均上涨4%；PC DRAM通用产品（DDR4 8Gb 1Gx8）平均固定交易价格达3.90美元，环比大幅上涨50%，创下2021年10月以来最高水平。此轮上涨主要源于三大DRAM供应商（三星电子、SK海力士、美光）优先满足服务器DRAM需求，导致PC DRAM供应紧张，加之上游减产及下游PC制造商提前备货的需求拉动。

二、DDR4与DDR5价格出现罕见“倒挂”
市场供需失衡引发DDR4与DDR5价格“倒挂”，DDR4价格反超DDR5。2025年8月末，DDR4 16GB现货价格升至8.59美元，DDR5 16GB现货价格为6.17美元，两者价差较6月进一步扩大（6月DDR4为7.01美元、DDR5为5.85美元）。这一现象促使三星、SK海力士等内存巨头调整生产计划：三星将DDR4生产延长至2026年，SK海力士则推动无锡旧晶圆厂提高DDR4产量，以锁定更高利润率。

三、NAND Flash价格稳步回升
NAND Flash市场亦呈现持续上涨趋势。2025年7月，存储卡和U盘用的NAND闪存通用产品（128Gb 16Gx8 MLC）平均固定交易价格为3.39美元，环比上涨8.67%。自2025年以来，NAND价格结束了2024年9月以来的下跌态势，连续七个月上涨，主要受数据中心SSD需求回暖及企业级存储需求增长推动。

四、存储芯片产业链涨价驱动因素

1. 供需失衡：2023-2024年全球消费电子市场低迷，存储芯片厂商减产缓解库存压力；2025年AI大模型、智能汽车等新兴需求爆发，市场从“供过于求”急速转向“供不应求”。
2. 技术升级：存储芯片技术代际跃迁带来成本增加，如三星第9代V-NAND良率仅65%，单颗芯片成本飙升35%；美光1β工艺节点遭遇技术瓶颈，被迫通过提价覆盖研发费用。
3. 地缘政治：美国对华技术封锁升级，出口管制导致部分中国存储厂商扩产计划减速；同时，《芯片法案》补贴吸引美光、三星在美设厂，本土制造成本比中国高40%，最终通过全球涨价消化。