公司简介
Alliance Memory 是无晶圆厂（Fabless）存储半导体企业，总部位于美国华盛顿，在欧洲、亚洲、加拿大、南美设有区域办公室。
核心定位：老旧 / 关键存储器 IC 供应商，主打长生命周期存储器件，提供 pin‑to‑pin 兼容替代料，适配商业、工业、汽车级市场，重点面向嵌入式、医疗、车载领域。
供应链：采用多晶圆厂 + 多封测厂双源供货策略，80% 库存放置美国，仓库分布美国、中国台湾；与美光（Micron）深度合作，交期约 6‑8 周，支持长期供货，减少器件停产风险。
市场分布：美洲 33%、亚太 32%、欧洲 32%、日本 3%；2025 年 DRAM、Flash 业务营收大幅增长，2026 优先扩充产能，新产品规划到 2027 年。
四大产品线
1、SRAM（AS7C / AS6C 系列）
高速异步 SRAM（AS7C）：3V/5V，密度 256Kb‑32Mb，180/110/55nm 工艺，PDIP、SOJ、TSOP、BGA 等老封装；
低功耗 SRAM（AS6C）：2.7‑5.5V，64Kb‑64Mb，部分带 ECC 纠错，工业温宽；
PSRAM、串行 SRAM（2026 年推出），覆盖商业、工业等级。
2、DRAM（AS4C 系列）
SDR SDRAM、DDR1/DDR2/DDR3/L/DDR4；
移动低功耗：LP‑SDRAM、LPDDR1/2/4/4X；LPDDR5X 规划 2026‑2027 推出；
密度：16Mb‑32Gb，支持工业、汽车温度等级，和美光合作 1z/1α 新工艺，大量 FBGA、TSOP 封装。
3、FLASH 闪存
1）NOR Flash
并行 NOR：5V AS29CF 系列；美光 M29F 汽车级 NOR；
串行 NOR：AS25F 系列、Micron N25Q/M45P，1.8V/3V，工业 / 汽车 AEC‑Q100 认证。
2）SLC NAND
串行 NAND AS5F；并行 NAND AS9F；1.8V/3V，带硬件 ECC，工业、车规版本。
4、存储 eMMC（ASFC 系列）
eMMC5.1，4GB‑128GB，MLC/TLC/pSLC 颗粒；256/512GB 版本 2026 下半年量产；
面向工业嵌入式；UFS/SSD 规划 2026‑2027 发布。