无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~250V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。
产品分类:
1.沟槽型(Trench)功率MOSET(12V-200V):N沟道、P沟道、N+P沟道
2.屏蔽栅沟槽型(Super Trench )功率MOSET(30V-150V)
3. 超结(Super Junction)功率 MOSET(600V-900V)
4.IGBT
一、沟槽型(Trench)功率MOSET
新洁能结合最先进的封装技术将MOSFET功率、电流和可靠性提升至新的高度,我们推出TO-220H封装外形(产品名称后加标H),有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率,并降低了成本。
特点与优势:
·低FOM(Rdson*Qg) ·高雪崩耐量,100%经过EAS测试 ·低反向恢复电荷(Qrr),低反向恢复峰值电流(Irm)
·抗静电能力(ESD) ·抗静电能力(ESD) ·符合RoHS标准
应用:
·各类锂电池保护模块 ·手机、平板电脑等便携式数码产品电源管 ·LED TV等消费类电子产品电源
·电动交通工具控制器 ·不间断电源,逆变器和各类电力电源 ·LED照明